近日,赛晶科技集团有限公司(以下简称“赛晶科技”)成员企业无锡赛晶电力电容器有限公司(以下简称“无锡赛晶”)的技术成果论文被EI(工程索引)收录。EI作为国际权威的工程技术领域学术出版机构之一,专门收录工程与科技领域的高质量文献,意味着赛晶科技在电力电容器领域的技术研究和创新能力得到了国际权威认可。 《Study on the Heat Dissipation Model and Simulation of Circular Element for DC-link Capacitor》由无锡赛晶左强林、雷乔舒和清华大学钟少龙、张涌新、党智敏共同撰写。文章聚焦于自愈干式金属化薄膜电容器应用范围的不断拓展,指出其散热方式与内部温升问题已成为重要的理论与工程挑战。基于直流支撑电容器圆元件的发热规律,本文深入分析了电容器元件圆柱状整体均匀发热时的热流分布,并结合电热对偶原理建立了圆元件热计算模型。通过微分单元积分,推导出了圆元件的热阻计算公式。最终,通过试验验证了该热计算模型的准确性,并提出了圆元件热计算的验证方法,为直流支撑电容器圆元件的发热问题提供了重要的理论与试验参考。 无锡赛晶作为赛晶科技旗下的重要成员企业,一直致力于电力电容器的研发和创新。近年来,公司在直流支撑电容器领域取得了多项突破性进展。此次论文被EI收录,不仅是对无锡赛晶技术实力的肯定,也是对其在行业内领先地位的进一步巩固。
过去几年,功率半导体随着新能源汽车以及光伏产业的一路狂奔,其市场规模在半导体行业整体下滑的大趋势下逆势生长,业绩在一众半导体公司中显得非常亮眼。此外,随着功率半导体的应用领域逐渐拓宽,也大大增加了对功率半导体器件的需求,为国内功率半导体企业提供了更多的市场机遇。 在备受瞩目的PCIM Asia 2024展会上,赛晶半导体科技(浙江)有限公司(以下简称“赛晶”)以其创新技术和产品成为焦点,其在展会上展出的车规级HEEV封装SiC模块和EVD封装SiC模块,不仅彰显了其在技术创新上的领先地位,更展示了其巨大潜力和发展前景。在会上,赛晶还正式发布了1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片,成为展会上的焦点之一,赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。 展会期间,《变频器世界》有幸采访了赛晶半导体科技(浙江)有限公司总经理张强,就赛晶半导体的现状与未来的发展做了深入的了解。 赛晶半导体科技(浙江)有限公司总经理 张强 01 自研SiC MOSFET芯片,达到行业一流水平 2024年以来,SiC产业延续了2023年的火热态势,企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎,各大厂商频频有利好消息传出。 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点,适合制造高温、高压、高频、高功率器件。在张强看来,随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升,SiC在未来十年将会迎来全新的增长契机。因此,赛晶直面SiC市场需求,推出了自研1200V/13mΩSiC MOSFET芯片,致力于为新能源汽车和新能源发电客户提供全新的车规级SiC解决方案,以及追求高效率的新能源功率器件。 赛晶SiC MOSFET芯片 赛晶自研碳化硅(SiC)芯片优先考虑可靠性,采用了平面栅技术,在1200V SiC MO